原子层沉积设备
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关键词：

泛半导体高端工艺装备制造商、智能制造和整线集成解决方案提供商

所属分类：

半导体装备

电话：

0731-89980660

邮箱：

hnredsolar@cs48.com

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原子层沉积设备

原子层沉积设备

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用于集成电路、功率器件等领域中栅氧层、阻挡层、钝化层等薄膜生长。

       设备特点

  • 兼容TALD/PEALD双工艺模式，适配4/6/8英寸晶圆量产
  • 高真空腔室+晶舟旋转，膜厚均匀性S1.5%(10)，工艺一致性优异
  • 高效真空污染控制，显著降低颗粒污染，提升芯片良率

 

       技术指标

  • 极限真空:≤10mTorr
  • 工作温度:100℃-450℃
  • 晶圆尺寸:4/6/8英寸
  • 结构方式:Batch/Cluster

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