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RSC-6000型异质PECVD设备(含自动化)
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RSC-6000型异质PECVD设备(含自动化)

设备采用射频等离子体增加化学气相沉积技术,在制绒清洗后的硅片表面,沉积5-10NM非晶硅钝化层。非晶硅钝化层包括本征非晶硅层(I层)、掺杂非晶硅层(P层)和掺杂非晶硅层(N层),且具备切换成甚高频电源进行掺杂微晶硅层(P层)和参杂微晶硅层(N层)的沉积;配备等离子清洗系统,可在腔内实现腔体和板框的自动清洗功能,维护保养方便;自动上下料系统具备上料自动外观(破片、缺口、崩边)检测及下料PL检测功能,整机良率及稳定性好。
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产品描述
设备概述:
设备采用射频等离子体增加化学气相沉积技术,在制绒清洗后的硅片表面,沉积5-10NM非晶硅钝化层。非晶硅钝化层包括本征非晶硅层(I层)、掺杂非晶硅层(P层)和掺杂非晶硅层(N层),且具备切换成甚高频电源进行掺杂微晶硅层(P层)和参杂微晶硅层(N层)的沉积;配备等离子清洗系统,可在腔内实现腔体和板框的自动清洗功能,维护保养方便;自动上下料系统具备上料自动外观(破片、缺口、崩边)检测及下料PL检测功能,整机良率及稳定性好。
 
产品的主要特点及优势:
  • 多层匀流阴极喷淋系统,间距可调,工艺窗口更宽;
  • 拥有自主知识产品的射频馈入技术,等离子均匀区域更大;
  • 搭载RPS等离子体自清洗系统,腔室和载板免维护;
  • 符合非晶硅工艺的设备自动化只能制造解决方案;
  • 模块化设计,扩展性好,面向未来的可扩展制定化技术平台。

 

主要技术参数:

工艺种类

RCS-12000

载板清洗时间

<2h/天

不良率

≤0.5%(机械部分造成不良)

成膜种类

本征非晶硅/掺杂非晶硅/(掺杂微晶硅)

硅片传输形式

Work Beam(不可对硅片膜面造成损伤、污染)

载板规格

210半片,120片/批,(可兼容23x-15x尺寸硅片)

产能

12000pcs/h

碎片率

≤0.8%(含自动化)

Uptime

≥90%(设备清洗恢复时间算作非开机时间)

工艺温度

150℃ - 250℃(温度不均匀性≤5℃)

放片精度

≤±0.5mm(硅片放入载板精度)

膜厚均匀性

4%(片内)、8%(片间)、5%(批间)

气氛环境

局部采用氮气或FFU微正压形成微正压

反射功率

反射功率稳定时间≤0.5s

定位方式

视觉系统+机械对位(硅片与载板定位)

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