RSC-6000型异质PECVD设备（含自动化）

设备采用射频等离子体增加化学气相沉积技术，在制绒清洗后的硅片表面，沉积5-10NM非晶硅钝化层。非晶硅钝化层包括本征非晶硅层（I层）、掺杂非晶硅层（P层）和掺杂非晶硅层（N层），且具备切换成甚高频电源进行掺杂微晶硅层（P层）和参杂微晶硅层（N层）的沉积；配备等离子清洗系统，可在腔内实现腔体和板框的自动清洗功能，维护保养方便；自动上下料系统具备上料自动外观（破片、缺口、崩边）检测及下料PL检测功能，整机良率及稳定性好。

所属分类

高端光伏装备

产品描述

设备概述：

产品的主要特点及优势：

多层匀流阴极喷淋系统，间距可调，工艺窗口更宽；
拥有自主知识产品的射频馈入技术，等离子均匀区域更大；
搭载RPS等离子体自清洗系统，腔室和载板免维护；
符合非晶硅工艺的设备自动化只能制造解决方案；
模块化设计，扩展性好，面向未来的可扩展制定化技术平台。

主要技术参数：

工艺种类	RCS-12000	载板清洗时间	<2h/天	不良率	≤0.5%（机械部分造成不良）
成膜种类	本征非晶硅/掺杂非晶硅/（掺杂微晶硅）		硅片传输形式	Work Beam(不可对硅片膜面造成损伤、污染）
载板规格	210半片，120片/批，（可兼容23x-15x尺寸硅片）		产能	12000pcs/h
碎片率	≤0.8%（含自动化）		Uptime	≥90%(设备清洗恢复时间算作非开机时间）
工艺温度	150℃ - 250℃（温度不均匀性≤5℃）		放片精度	≤±0.5mm（硅片放入载板精度）
膜厚均匀性	4%（片内）、8%（片间）、5%（批间）		气氛环境	局部采用氮气或FFU微正压形成微正压
反射功率	反射功率稳定时间≤0.5s		定位方式	视觉系统+机械对位（硅片与载板定位）