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产品&解决方案
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M82300-8/UM型 PEOCVD非晶硅镀膜设备
M82300-8/UM型 PECVD非晶硅镀膜设备可用于隧穿氧化层、本征Poly-Si、原位掺杂Poly-Si工艺薄膜一次原位完成。
所属分类
高端光伏装备
产品描述
设备概述：
PECVD即等离子体增强化学气相淀积设备，是利用高频电源辉光放电产生等离子对化学气相沉积过程施加影响的技术。
M82300-8/UM型 PECVD非晶硅镀膜设备可用于隧穿氧化层、本征Poly-Si、原位掺杂Poly-Si工艺薄膜一次原位完成。
产品的主要特点及优势：
- 硅片尺寸可兼容至230mm；
- 恒温区长达2600mm，长恒温区单/双舟量产工艺验证；
- 标配上下新型辅助加热组件，使用寿命长，寿命期内免维护；
- 成熟可靠的多轴运动机构及控制系统；
主要技术参数
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成膜种类 |
隧穿氧化层、本征Poly-Si、原位掺杂Poly-Si |
成膜膜厚范围及均匀性 |
隧穿氧化层，1-2nm，片内≤±0.5nm |
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整机尺寸 |
9935MM(L)x2460MM(W)x4340MM(H)（不含真空泵） |
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石英管内径 |
540MM（外径）/528（内径） |
本征Poly-Si， 120nm，片内≤5%、片间≤5%、批间≤3% |
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典型装片量 |
726片/舟 （M6）、640片/舟（M10） |
原位掺杂Poly-Si， 120nm，片内≤5%、片间≤5%、批间≤3% |
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典型产能 |
5100片/小时/台 （M10硅片，6管/台） |
恒温区长度 |
≤±1℃/2600mm(45℃时) |
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温度控制范围 |
400℃ - 550℃ |
工作压力 |
220 ± 40Pa（VAT阀控压） |
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