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M5311-1/UM型LPCVD设备
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M5311-1/UM型LPCVD设备

低压化学气相淀积设备(LPCVD),是在20 - 300PA左右的反应压力下,通过气体的化学反应生成固体反应物,并使其淀积在硅片表面形成薄膜的工艺设备。由于其制备的薄膜具有质量优异、均匀性好、产量高的特点,被广泛用于微电子等行业中氧化硅和多晶硅等薄膜的制备。适用于晶硅电池行业中的TOPCON电池多晶硅薄膜的制备,具有产能大、工艺效果好、兼容原位掺杂工艺等特点。相比较传统卧式炉管设备,立式扩散设备具备:高效稳定,高精度温度控制性能,良好工艺效果和低能耗等技术优势。
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产品描述
设备概述:
低压化学气相淀积设备(LPCVD),是在20 - 300PA左右的反应压力下,通过气体的化学反应生成固体反应物,并使其淀积在硅片表面形成薄膜的工艺设备。由于其制备的薄膜具有质量优异、均匀性好、产量高的特点,被广泛用于微电子等行业中氧化硅和多晶硅等薄膜的制备。适用于晶硅电池行业中的TOPCON电池多晶硅薄膜的制备,具有产能大、工艺效果好、兼容原位掺杂工艺等特点。相比较传统卧式炉管设备,立式扩散设备具备:高效稳定,高精度温度控制性能,良好工艺效果和低能耗等技术优势。
 
产品的主要特点及优势:
  • 硅片尺寸可兼容至230mm;
  • 采用独特的控温方式,确保工艺区温度的均匀性与稳定性;
  • 全金属内腔,腔体无损坏,设备利用率高,生产成本低;
  • 沿反应腔径向方向无形变,管径更小,能耗更低;
  • 分段多形式进气管路设计,工艺均匀性更优;
  • 整机模块化设计,兼容性强,可与硼扩散/LPCVD互相升级。
 
主要技术参数
 

工艺种类

SiOX Poly-Si、原位掺杂

遂穿层均匀性

片内≤±0.2NM、片间≤±0.2NM、批间≤±0.1NM

可选管数

6管/台、12管/台

本征层均匀性

片内≤5%、片间≤4%、批间≤3%

石英管内径

≥350mm

原位掺杂均匀性

片内≤5%、片间≤5%、批间≤4%

典型装片量

182硅片:1400片/舟

温度控制范围

400℃ - 700℃

210硅片:1200片/舟

恒温区长度
及精度

≤±1℃/1700mm(500℃ - 700℃)

温度速率

最大升温速率为20℃/min
最大降温速率为3℃/min (800℃)

工作压力

20 - 300Mbar(闭环控制)

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