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M80110-3/UM型LPCVD设备
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M80110-3/UM型LPCVD设备

低压化学气相淀积设备(LPCVD),是在20~300PA左右的反应压力下,通过气体的化学反应生成固体反应物,并使其淀积在硅片表面形成薄膜的工艺设备。
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产品描述
设备概述:
低压化学气相淀积设备(LPCVD),是在20~300PA左右的反应压力下,通过气体的化学反应生成固体反应物,并使其淀积在硅片表面形成薄膜的工艺设备。
M80110-3/UM型是我司第三代大产能LPCVD设备,适用于晶硅电池行业中的TOPCON电池多晶硅薄膜的制备,具有产能大、工艺效果好、兼容原位掺杂工艺等特点。
 
产品的主要特点及优势:
  • 硅片尺寸可兼容至230mm;
  • 采用优质的控温方式,确保工艺区温度的均匀性与稳定性;
  • 炉体具备极冷极热性能,产能及工艺效果更优;
  • 法兰密封系统,采用双层水冷密封结构,气密性好,密封圈使用寿命更长;
  • 双层反应管设计,充分延长石英管、石英舟的使用寿命;
  • 针对TOPCON电池多晶硅薄膜制备过程中温度和气体组分差异引起的晶粒大小不一、薄膜性质不稳定等工艺问题,开发了高精度温区同步温控、环形进气、气体补偿注入等技术,确保薄膜的质量和均匀性。
 
主要技术参数
 

成膜种类

SiOX Poly-Si、原位掺杂

遂穿层均匀性

片内≤±0.2NM、片间≤±0.2NM、批间≤±0.1NM

方阻范围

100 - 300mm

本征层均匀性

片内≤5%、片间≤4%、批间≤3%

石英管内径

≥420mm

原位掺杂均匀性

片内≤5%、片间≤5%、批间≤4%

典型装片量

182硅片:1400片/舟

温度控制范围

400℃ - 700℃

210硅片:1200片/舟

恒温区长度
及精度

≤±1℃/1700mm(500℃ - 700℃)

182硅片:≥1400片/舟(常规方形)

210硅片:≥1200片/舟(常规方形)

温度控制范围

400℃ - 700℃

工作压力

20 - 300Pa(闭环控制)

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