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PRODUCTS & SOLUTIONS
产品&解决方案
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M5111-6/UM型立式扩散设备
所属分类
高端光伏装备
产品描述
设备概述：
扩散炉是半导体生产线前道工序的重要工艺设备之一，用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺。
低压扩散炉主要用途是在高温条件下对半导体晶圆进行掺杂，在太阳能电池制造中，扩散工艺用于PN结制造。相比较传统卧式炉管设备，立式扩散设备具备：高效稳定，高精度温度控制性能，良好工艺效果和低能耗等技术优势。
产品的主要特点及优势：
- 硅片尺寸最大可兼容至230mm;
- 采用独特的控温方式，确保温度的均匀性和稳定性;
- 配备快速降温系统，可实现最大10/min的降温速率；
- 沿反应腔径方向方向无形变，管径更小，能耗更低；
- 全石英材质的反应腔，无金属离子污染，钝化效果更优；
- 整机模块化设计，兼容性强，可与磷扩散/LPCVD互相升级
主要技术参数
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工艺种类 |
磷扩散、硼扩散 |
方阻均匀性 |
片内：≤5%、片间：≤4%、 |
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可选管数 |
6管/台、12管/台 |
批间：≤4%（75 - 150Ω/SQ) |
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石英管内径 |
≥350MM |
片内：≤6%、片间：≤5%、 |
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典型装片量 |
182硅片：1400片/舟 |
批间：≤4%（150 - 180Ω/SQ) |
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210硅片：1200片/舟 |
温度控制范围 |
600℃ - 1150℃ |
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恒温区长度 |
≤±0.5℃/1700MM(800℃ - 1150℃) |
温度速率 |
最大降温速率为10℃/min(快速冷却功能） |
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≤±1℃/1700MM(600℃ - 799℃) |
工作压力 |
50-1000mBar（环闭控制） |
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M5311-1/UM型LPCVD设备
M5111-2/UM型低压硼扩散炉设备
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