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M5111-6/UM型立式扩散设备
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M5111-6/UM型立式扩散设备

扩散炉是半导体生产线前道工序的重要工艺设备之一,用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺。
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产品描述
设备概述:
扩散炉是半导体生产线前道工序的重要工艺设备之一,用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺。
低压扩散炉主要用途是在高温条件下对半导体晶圆进行掺杂,在太阳能电池制造中,扩散工艺用于PN结制造。相比较传统卧式炉管设备,立式扩散设备具备:高效稳定,高精度温度控制性能,良好工艺效果和低能耗等技术优势。
 
 
 
产品的主要特点及优势:
  • 硅片尺寸最大可兼容至230mm;
  • 采用独特的控温方式,确保温度的均匀性和稳定性;
  • 配备快速降温系统,可实现最大10/min的降温速率;
  • 沿反应腔径方向方向无形变,管径更小,能耗更低;
  • 全石英材质的反应腔,无金属离子污染,钝化效果更优;
  • 整机模块化设计,兼容性强,可与磷扩散/LPCVD互相升级
 
 
主要技术参数
 

工艺种类

磷扩散、硼扩散

方阻均匀性

片内:≤5%、片间:≤4%、

可选管数

6管/台、12管/台

批间:≤4%(75 - 150Ω/SQ)

石英管内径

≥350MM

片内:≤6%、片间:≤5%、

典型装片量

182硅片:1400片/舟

批间:≤4%(150 - 180Ω/SQ)

210硅片:1200片/舟

温度控制范围

600℃ - 1150℃

恒温区长度
及精度

≤±0.5℃/1700MM(800℃ - 1150℃)

温度速率

最大降温速率为10℃/min(快速冷却功能)

≤±1℃/1700MM(600℃ - 799℃)

工作压力

50-1000mBar(环闭控制)

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