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M5111-2/UM型低压硼扩散炉设备
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M5111-2/UM型低压硼扩散炉设备

扩散炉是半导体生产线前道工序的重要工艺设备之一,用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺。
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产品描述
设备概述:
扩散炉是半导体生产线前道工序的重要工艺设备之一,用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺。
低压扩散炉在太阳能行业主流磷扩散、硼扩散工艺,其中磷扩散设备用于P型晶体硅PERC工艺中PN结的制备,硼扩散设备用于N型晶体硅TOPCON工艺中PN结的制备。
 
 
产品的主要特点及优势:
  • 硅片尺寸可兼容至230mm;
  • 产能和兼容性优,可兼容多种规格硅片,仅需更换工装夹具;
  • 具备硼扩散及磷扩散工艺,兼容水平、垂直及常规方形放片;
  • 配备独特的湿氧系统,能够有效缩短工艺时间提升工艺效果,大幅提升石英件使用寿命;
  • 工艺技术成熟可靠,依托公司的工艺验证电池线,可提供整线工艺技术支持服务。
 
主要技术参数
 

工艺种类

硼扩散

恒温区长度
及精度

≤±0.5℃/2500mm(800℃ - 1100℃)

工艺气体

BCl3(可定制BCl3供气柜)、N2、O2

≤±1℃/2500mm(600℃ - 799℃)

石英管内径

5管/台、6管/台、10管/台、12管/台

温度速率

≤±1℃/2500mm(600℃ - 799℃)

典型装片量

182硅片:2640片/管、2200片/管、(顺气流)

石英管内径

420mm

210硅片:2000片/管、1800片/管(顺气流)

 

片内≤5%、片间≤4%、
批间≤3%(75 - 150Ω/SQ)

温度控制范围

600 - 1500℃

工作压力

50-1000mBar(环闭控制)

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