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M82300-8/UM型 PECVD镀膜设备
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M82300-8/UM型 PECVD镀膜设备

PECVD即等离子体增强化学气相淀积设备,是利用高频电源辉光放电产生等离子对化学气相沉积过程施加影响的技术。
M82300-12/UM型 PECVD设备主要用于TOPCON和PERC电池正背面氮化硅减反射钝化薄膜的生长,也可以用于PERC电池背面氧化铝薄膜的生长。
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产品描述
设备概述:
PECVD即等离子体增强化学气相淀积设备,是利用高频电源辉光放电产生等离子对化学气相沉积过程施加影响的技术。
M82300-8/UM型 PECVD设备主要用于TOPCON和PERC电池正背面氮化硅减反射钝化薄膜的生长,也可以用于PERC电池背面氧化铝薄膜的生长。
 
 
产品的主要特点及优势:
  • 硅片尺寸可兼容至230MM;
  • 恒温区长达2600mm,长恒温区单/双舟量产工艺验证;
  • 标配上下新型辅助加热组件,使用寿命长,寿命期内免维护;
  • 成熟可靠的多轴运动机构及控制系统;
  • 具备背面氧化铝工艺能力,预留TOPCON升级空间
 
 
主要技术参数
 

成膜种类

氮化硅、氮氧硅、氧化硅、氧化铝(选配)

典型产能

6060片/小时/台 (M10硅片,氮化硅,6管/台)

整机尺寸

9935MM(L)x2460MM(W)x4340MM(H)(不含真空泵)

4600片/小时/台 (M12硅片,氮化硅,6管/台)

膜厚范围

氮化硅:70 - 150NM

5100片/小时/台 (M10硅片,氮化硅+氧化铝,6管/台)

氮化硅+氧化铝:8 - 20NM(氧化铝),80 - 150NM(氮化硅)

3880片/小时/台 (M12硅片,氮化硅+氧化铝,6管/台)

典型装片量

726片/舟 (M6)、640片/舟(M10)

石英管直径

540MM(外径)/528MM(内径)

486片/舟 (M12)、432片/舟(230)

温度控制范围

260  650℃

成膜均匀性

氮化硅:片内≤4%、片间≤4%、批间≤3%

恒温区长度
及精度

≤±1℃/2600MM(450℃)

氮化硅+氧化铝:片内≤6%、片间≤6%、批间≤5%

工作压力

220±40PA(VAT阀控压)

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