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M82300-12/UM型 PECVD镀膜设备
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M82300-12/UM型 PECVD镀膜设备

PECVD即等离子体增强化学气相淀积设备,是利用高频电源辉光放电产生等离子对化学气相沉积过程施加影响的技术。
M82300-12/UM型 PECVD设备主要用于TOPCON和PERC电池正背面氮化硅减反射钝化薄膜的生长,也可以用于PERC电池背面氧化铝薄膜的生长。
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产品描述
设备概述:
PECVD即等离子体增强化学气相淀积设备,是利用高频电源辉光放电产生等离子对化学气相沉积过程施加影响的技术。
M82300-12/UM型 PECVD设备主要用于TOPCON和PERC电池正背面氮化硅减反射钝化薄膜的生长,也可以用于PERC电池背面氧化铝薄膜的生长。
 
 
产品的主要特点及优势:
  • 单管产能大,单片COO成本低,设备投资成本低;
  • 设备高度可适应4.5米厂房空间,节省厂房建设运营成本;
  • 恒温区长达2600mm,管径达610mm,单管载片量大;
  • 辅热分段可控,有效提高整舟均匀性;
  • 推舟管控一对一配置,设备稳定性高;
  • 具备背面氧化铝工艺能力,预留TOPCON升级空间
 
 
主要技术参数
 

成膜种类

氮化硅、氮氧硅、氧化硅、氧化铝(选配)

石英管直径

610MM(外径)/598MM(内径)

膜厚范围

70 - 150NM(氮化硅)

成膜均匀性

氮化硅:片内≤4%、片间≤4%、批间≤3%

8 - 20NM(氧化铝),80 - 150NM(氮化硅)

氮化硅+氧化铝:片内≤6%、片间≤6%、批间≤5%

典型产能

6000片/小时/台 (M10硅片,氮化硅,6管/台)

温度控制范围

260  650℃

4800片/小时/台 (M12硅片,氮化硅,6管/台)

5050片/小时/台 (M10硅片氮化硅+氧化铝,6管/台)

恒温区长度
及精度

2≤±1℃/2600MM(450℃)

4080片/小时/台 (M12硅片氮化硅+氧化铝,6管/台)

典型装片量

760片/舟 (M10)、612片/舟(M12)

工作压力

220±40PA(VAT阀控压)

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