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M5111-13/UM型低压氧化退火炉设备
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M5111-13/UM型低压氧化退火炉设备

氧化/退火炉是半导体生产线前道工序的重要工艺设备之一,用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的氧化、退火、合金及烧结等工艺。 低压氧化/退火炉在太阳能行业晶体硅的氧化、退火工艺。
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产品描述
设备概述:
氧化/退火炉是半导体生产线前道工序的重要工艺设备之一,用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的氧化、退火、合金及烧结等工艺。 低压氧化/退火炉在太阳能行业晶体硅的氧化、退火工艺。
 
 
 
产品的主要特点及优势:
  • 硅片尺寸可兼容至230mm;
  • 采用优质的控温方式,确保工艺区温度的均匀性与稳定性;
  • 炉体具备极冷极热性能,产能及工艺效果更优;
  • 法兰密封系统,采用双层水冷密封结构,气密性好,密封圈使用寿命更长;
  • 具备现有PERC工艺能力,兼容TOPCON升级空间。
 
 
主要技术参数
 

工艺种类

氧化、退火

恒温区长度
及精度

≤±0.5℃/2200MM(800℃ - 1100℃)

可选管数

5管/台、6管/台、10管/台、12管/台

≤±1℃/2200MM(600℃ - 799℃)

石英管内径

≥420MM

温度速率

最大升温速率为20℃/MIN
最大降温速率为8 - 9℃/MIN(快速冷却功能)

典型装片量

182硅片:2640片/管、2200片/管(顺气流)
210硅片:2000片/管、1800片/管(顺气流)

182硅片:1600片/管(常规方形)
210硅片:1600片/管(常规方形)

温度控制范围

600℃ - 1100℃

工作压力

50-1000mBar(环闭控制)

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