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高效黑硅多晶电池
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高效黑硅多晶电池

湖南红太阳光电科技有限公司在采用公司自主研发的设备同时开发配套无银黑硅工艺,平均效率相比传统电池提升0.3%组件封装损失,真正实现为客户提供绿色、高效、低成本的解方案。
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产品描述
湖南红太阳光电科技有限公司在采用公司自主研发的设备同时开发配套无银黑硅工艺,平均效率相比传统电池提升0.3%组件封装损失,真正实现为客户提供绿色、高效、低成本的解方案。
 
◎技术参数
尺寸:156.75mm×156.75mm±0.5mm
对角线:219mm±0.5mm
厚度:200μm±20μm
正面设计:0.7mm主栅,蓝色氮化硅减反射膜
背面设计:2.0mm背电极,铝背场覆盖
CTM     :>99%
 
◎温度系数
开路电压:-0.36%/k
短路电流:0.07%/k
最大功率:-0.38%/k
 
红太阳
 
◎弱光表现
 
红太阳
 
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