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R092-3UM 型电注入抗光衰退火炉设备
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R092-3UM 型电注入抗光衰退火炉设备

R092-3/UM 型电注入抗光衰退火炉设备是根据独特的抗光衰工艺技术研制的成熟产品,其电流注入和退火工艺主要用于修复单晶硅电池的光致衰减(LID)缺陷,提升多晶硅电池片的转换效率,具有抗光衰效果好,效率增益显著,工艺质量稳定的特点,晶硅电池片的抗光衰处理直接关系到电池片的最终转换效率与电性能参数。
所属分类
没有此类产品
产品描述
设备概述:
R092-3/UM 型电注入抗光衰退火炉设备是根据独特的抗光衰工艺技术研制的成熟产品,其电流注入和退火工艺主要用于修复单晶硅电池的光致衰减(LID)缺陷,提升多晶硅电池片的转换效率,具有抗光衰效果好,效率增益显著,工艺质量稳定的特点,晶硅电池片的抗光衰处理直接关系到电池片的最终转换效率与电性能参数。
 
产品的主要特点及优势:
整体特征:单轨、双轨可选;离线、在线两种方案;布置在烧结之后,分选之前。适用于所有P型掺硼硅太阳能电池片,可显著抑制单晶光衰,稳定提升多晶效率;
良好的抗光衰和增效工艺:通过该设备处理后,对所有含氢的晶硅电池有明显的提效作用,对高效电池有显著的抗光衰效果;
大产能中能耗:单轨:单晶≥3200pcs/h,多晶≥2800pcs/h,设备运行功率小于20KW; 
双轨:单晶≥6400pcs/h,多晶≥5600pcs/h,设备运行功率小于40KW;
设备紧凑小巧:单轨:3680mm×940mm×1880mm,设备长度可定制;
双轨:3680mm×1500mm×1880mm;节约厂区的安装和操作空间;
独特的夹片机构:采用双杆气缸驱动,下气缸支撑,上气缸可调性轻微压紧,实现电池片的平稳夹持,消除了工艺过程中的碎片、隐裂等现象;
设备操作简便:无需设定参数,通过操作界面直接选用相应的工艺方案,生产人员只需通过简短培训即可完成全部操作;
维护简单兼容性强:模块化的设计,主要部件均可以快速更换,保证设备高效可靠运行。
 
主要技术参数
 

基本参数

设备尺寸

3680mm(L)×940mm/1500mm(W)×1880mm(H)

装片规格

156.75x156.75161.75×161.75方片400±50/

高产能

单轨:单晶3200pcs/h,多晶2800pcs/h

双轨:单晶6400pcs/h,多晶5600pcs/h

碎片率

≤0.03% (工艺片源正常)

工艺参数

抗光衰特性

管P常规单晶       平均光衰1.0%

管P单晶PERC    平均光衰1.5%

P常规多晶       平均光衰<1.5%

P多晶PERC     平均光衰60%×初始光衰;

板P常规单晶        平均光衰1.5%

板P单晶PERC     平均光衰2.0%

效率增益

常规多晶      提效0.07%

PERC多晶    提效0.1%

黑硅多晶      提效0.09%

 
 
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