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RST-8000型平板式PEOPVD设备
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RST-8000型平板式PEOPVD设备

设备采用等离子体增强化学气相沉积技术和物理气相沉积技术实现一次工艺过程中在高效背面隧穿钝化接触(TOPCON)太阳电池硅片的背面沉积超薄隧穿氧化层和原位掺杂非晶硅薄膜的沉积。
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产品描述
设备概述:
设备采用等离子体增强化学气相沉积技术和物理气相沉积技术实现一次工艺过程中在高效背面隧穿钝化接触(TOPCON)太阳电池硅片的背面沉积超薄隧穿氧化层和原位掺杂非晶硅薄膜的沉积。
 
产品的主要特点及优势:
  • 原位掺杂非晶硅,单面镀膜,基本无绕镀,良率高;
  • 拥有自主知识产品的等离子体辅助氧化技术;
  • 量产验证的技术平台,耗材及维护成本低;
  • 模块化设计,面向未来的可扩展定制化技术平台。

 

主要技术参数:

型号

RST-8000

表面形貌

外观均匀、无明显微粒、气泡、色差等异常

成膜种类

氧化硅(1 - 2nm)/原位掺杂非晶硅(>100nm)

度化效果

iVoc730mV (碱抛片+双面SiOx/Poly)

镀膜方式

下镀膜

掺杂浓度

>5E20

载板规格

182MM - 210MM, 120片/批

靶材利用率

>80%

膜厚均匀性

4%(片内)、4%(片间)、4%(批间)

产能

>8000片/时

 
 
 
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