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高效多晶方锭

湖南红太阳光电科技有限公司多晶方锭依靠自主研发的多晶硅铸锭炉和高效多晶铸锭工艺技术的研发优势，研制生产的高效多晶方锭晶向、块状、棒状断面结构一致性好，晶粒尺寸均匀，杂质缺陷少，位错密度低，外观无色斑、变色和氧化外表层。

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产品描述

湖南红太阳光电科技有限公司多晶方锭依靠自主研发的多晶硅铸锭炉和高效多晶铸锭工艺技术的研发优势，研制生产的高效多晶方锭晶向、块状、棒状断面结构一致性好，晶粒尺寸均匀，杂质缺陷少，位错密度低，外观无色斑、变色和氧化外表层。

◎技术参数

基本参数

型号：P 型

导电类型：P 型(B)

电阻率：0.8-3Ω cm

直径：221.31±1.1mm

晶体硅边长：157.4-0.25+0.05mm

氧含量：≤0.9x1018atoms/cm3

碳含量：≤5x1017 atoms/cm3

整体少子寿命：少子寿命大于 6us

表面要求：

1、块状、棒状多晶硅锭断面结构应致密；2、多晶方锭外观应无色斑、变色，表面无明显赃物和氧化的外表层3、不允许出现氧化夹层；4、多晶方锭不允许出现无倒角异常。

断面偏差：断面偏差小于 1.5mm

斜角长度：0.5-2.0mm

两边垂直度：90°±20°

高效单晶硅片