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碳化硅MOSFET入选国企数字技术成果

碳化硅MOSFET入选国企数字技术成果

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【摘要】:
碳化硅MOSFET入选国企数字技术成果
来源:新闻中心
发布时间:2021年04月26日 编辑:陈清杰
   

 

  4月25日,国务院国资委在第四届数字中国建设峰会上发布了十项国有企业数字技术成果。中国电科碳化硅MOSFET器件榜上有名。

 

  碳化硅MOSFET是面向绿色环保、节能减排应用需求的电能转换核心器件。作为宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室依托单位,中国电科国基南方WM1A系列碳化硅MOSFET产品件对标国际先进,突破了低损伤高温高能离子注入及激活技术、高迁移率高可靠栅氧化技术、激光退火薄片工艺等多项关键技术,填补国内多项技术空白,在国内率先实现六英寸碳化硅MOSFET晶圆批产,建立材料外延、芯片制造、模块封装产业链布局,形成650V-6500V系列产品。最新研制的6500V碳化硅MOSFET产品,作为宽禁带半导体器件,具有大功率、低损耗、耐高温等特点,可应用于高压输变电领域,显著提升功率转换效率,大幅减少功率装置的体积和重量,有效提升了电能转换效率。

 

  目前,国基南方研发的碳化硅系列产品很好满足各领域对高端电力电子器件应用需求,已进入服务器电源、新能源发电、新能源汽车、电网输变电等领域应用,有效促进了低碳数字经济发展和能源结构升级。