光电公司黑硅太阳能电池技术取得新进展

长期以来，多晶太阳电池表面反射率较高的难题一直得不到有效解决，制约了电池效率的进一步提升。近日，光电公司高效多晶黑硅电池项目组在黑硅太阳电池技术研究上取得新进展，成功解决了效率提升这一难题，实现黑硅电池转换效率达到18.75%，相比常规多晶硅电池效率提升0.5%，单片效率达到18.96%。

该团队利用金属粒子辅助湿法刻蚀的方法制备了具有微纳复合结构的黑硅材料。黑硅的表面微结构具有良好的陷光效应，可以大幅提高电池的短路电流，从而提升电池的转换效率。该技术既适用于砂浆切割硅片，也适用于金刚线切硅片，是降本增效的利器，将来势必成为多晶电池的标配技术。

该技术简单可控，与RIE（反应离子干法刻蚀）技术效果相当，但成本较低，可与公司现有的硅电池生产线工艺完美兼容，有望在新一轮的光伏产业重组中占据技术优势，为我国光伏产业的发展做出贡献。